多測試系統SHIBASOKU芝測WL15VWI高耐壓洩漏測試

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WL15VWI

四個同時測定GBT, MOSFET, SBD, FRD, IPM, IPD, Chip

2000 V / 30 A

四個同時測量方法例

+ 2000 V±20毫安

±128 V±5 A

±60 V±30 A

±64 V±160毫安

zui大(dà)32個同時測量可能

高真空度而言，高溫低溫開(kāi)始到業界zui高水平，5 kv高耐壓洩漏試驗。

次世代ー半導體(tǐ)材料的SiC /氮化镓也對應

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