NRI-100紅外(wài)光譜折射率計分(fēn)光計器儀器

NRI-100紅外(wài)光譜折射率計分(fēn)光計器儀器

NRI-100紅外(wài)光譜折射率計分(fēn)光計器儀器

NRI-100紅外(wài)光譜折射率計

NRI-200色散紅外(wài)光譜評估系統

OD-10高濃度測定用分(fēn)光光度計

ART-25光學元件測量裝置

台式真空紫外(wài)光度計

NRI-100紅外(wài)光譜折射率計

NRI-200色散紅外(wài)光譜評估系統

OD-10高濃度測定用分(fēn)光光度計

ART-25光學元件測量裝置

台式真空紫外(wài)光度計

PRS-1受光元件響應速度測量裝置

是測量光傳感器等受光元件的響應速度的裝置。這是表示生(shēng)成的載波能多快取出外(wài)部電(diàn)路的值，以上升時間/下(xià)降時間表示。

下(xià)降時間是脈沖輸入光的值10%→90%上升時間，上升時間是脈沖輸入光的值90%→10%下(xià)降時間。裝置主要由脈沖LD、樣品室、DC電(diàn)源、示波器、控制PC構成，通過安裝在控制PC上的軟件對各部分(fēn)進行控制及測定。

LBC-2激光誘導電(diàn)流測量裝置

本裝置是各種太陽能電(diàn)池和光電(diàn)轉換元件（SiPD、CCD、CMOS）的光電(diàn)流分(fēn)布測定裝置。

采用LBIC【Laser Beam Induced目前态】的測定方法。

搭載标準波長520nm激光器，将樣品移動到XY，測量短路電(diàn)流（Isc）。空間分(fēn)辨率約爲10達到m

最多50×可以測量50mm的樣品。

特别是由鈣钛礦太陽能電(diàn)池等旋轉鍍膜法制作的太陽電(diàn)池，在樣品面的中(zhōng)心和端部存在均勻性不同的問題，适合評價這樣的樣品。另外(wài)，在SiPD、CCD、CMOS等領域，也适用于塗層材料等的均勻性評價。

BIP-FETS FET測量裝置

是評價場效應晶體(tǐ)管特性的裝置。從2個源極向樣品施加源極（VS）-漏極（VD）間電(diàn)壓、源極（VS）-門（VG）電(diàn)壓。

可以測量漏極電(diàn)流，進行ID–VSD特性測量和ID－VSG特性測量。根據測量的數據，可以算出移動度和阈值電(diàn)壓。

另外(wài)，還計算漏極電(diàn)流的接通斷開(kāi)比。

規格：

待測樣品 FET（接觸頭等）

施加電(diàn)壓控制 源極-漏極間電(diàn)壓、源極-栅極間電(diàn)壓

施加電(diàn)壓範圍 0～±200V

最小(xiǎo)施加電(diàn)壓 ±10µV

施加電(diàn)壓間隔 0.01/0.02/0.05/0.1/0.2/0.5/1/2/5/10V