IKEIDARIKA池田理化正電(diàn)子光譜TypeL-II-AS
PSA TypeL-II ,TypeL-II-AS,PSA TypeL-P
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IKEIDARIKA池田理化正電(diàn)子光譜TypeL-II-AS
IKEIDARIKA池田理化正電(diàn)子光譜TypeL-II-AS
PSA TypeL-II ,TypeL-II-AS,PSA TypeL-P
正電(diàn)子壽命光譜是一(yī)種非破壞性和高度靈敏的方法，用于評估原子級缺陷、分(fēn)子間空隙和空位結構。L-II型是可以高精度測量小(xiǎo)型試件的機型，主要面向研究開(kāi)發現場使用。與用于現場測量的LP型相比，它在測量精度和測量效率方面具有優勢。L-II-AS型是在L-II型上安裝了進樣器機構的型号。連續測量固定形狀的樣品時，無需更換樣品即可高效獲取數據。
正電(diàn)子壽命測定法是評價空位型晶格缺陷、分(fēn)子間空隙等微小(xiǎo)空隙的非破壞性、高靈敏度的方法。這些微孔的測量實例有很多，作爲材料劣化行爲的有用評價指标，無論它們是金屬還是聚合物(wù)。
該設備PSA TypeL-P主要針對現場測量，具有比标準型号(PSA TypeL-II)更小(xiǎo)、更輕的專門結構。此外(wài)，利用新技術"反符合系統"，可以進行現場測量，甚至可以對大(dà)型結構進行非破壞性測量。
特征:
可以進行亞納米級的微孔評價(測量對象:金屬、聚合物(wù)等)。
無損測量。
可用手機電(diàn)池供電(diàn)。
緊湊輕巧的結構(單手即可攜帶)。
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