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HED型Wafer/ESD/TCP試驗機阪和電(diàn)子工(gōng)業 靜電(diàn)測試儀

簡要描述:

HED型Wafer/ESD/TCP試驗機阪和電(diàn)子工(gōng)業
本裝置能夠測量以往TLP無法覆蓋的高電(diàn)壓、大(dà)電(diàn)流特性,在獲取、分(fēn)析高耐壓元件的動作參數上發揮作用。

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HED型Wafer/ESD/TCP試驗機阪和電(diàn)子工(gōng)業

HED型Wafer/ESD/TCP試驗機阪和電(diàn)子工(gōng)業

Wafer ESD測試儀型号:HED-W5000M-WFC

在集成電(diàn)路中(zhōng)安裝的保護電(diàn)路的動作參數的收集和分(fēn)析中(zhōng),TLP測試裝置發揮了很大(dà)的作用,但是在半導體(tǐ)的微細化進程中(zhōng),爲了提高ESD抗藥性,需要進一(yī)步的保護電(diàn)路的開(kāi)發速度。

HED-W5000M-WFC測試儀可以觀測實際加入設備的ESD波形,因此在保護電(diàn)路參數的收集、分(fēn)析、開(kāi)發速度的縮短上發揮了很大(dà)的作用。

TCP試驗機

型号:HED-5000VF

裝備着的測試模式。設置了施加脈沖寬度100ns/200ns的正常測試和将施加幅度縮小(xiǎo)到1nsVFTTLPVery Fast TLP)的測試模式。

ESD耐性的HBM/CDM測試的驗證有效。可以通過标準裝備的示波器确認設備引腳的入射波和來自設備自旋的反射波。

此數據将被保存,并在監視器中(zhōng)顯示。用監視器可以跟蹤入射波/反射波的合計值、坐标回特性、Vf/Im測量的洩露測量值等。

保存的示波器數據允許高自由度運算。例如,對于改變了工(gōng)序的晶體(tǐ)管的ON電(diàn)壓和保護電(diàn)路中(zhōng)流通的大(dà)電(diàn)流值,可以通過重疊跟蹤來确認差分(fēn)。

此外(wài),還可與半自動程序等連接,使TLP測試自動化。

因爲可以進行Wafer上施加的銷和芯片之間的自動移位、自動測量,所以測試效率大(dà)大(dà)提高。

型号:HED-5000-HC

現在,設備對于高集成、高頻(pín)、高耐壓的需求正在提高。

LD/LED ESD試驗機

應用→測量→自動重複獲取施加電(diàn)壓的周期數據。激光二極管的輸出電(diàn)平(功率)的觀測由光電(diàn)二極管進行。顯示全部施加後的光輸出特性(IL),可以看到破壞的過程。2波長的激光二極管的測量一(yī)次就可以。具有洩露(Vf/Im,Im/Vf)測量功能,同時可以進行Vf/Im,Im/Vf測量。

随着設備的精細化,LSI的電(diàn)源電(diàn)壓有下(xià)降的傾向。伴随着這個,活動也有下(xià)降的傾向,作爲試驗項目被重視。

另外(wài),幾乎所有的LSI都是将I/O端子發出的噪音集中(zhōng)到電(diàn)源和GND上的構造,因此很有可能引起電(diàn)源/GND的急劇變動,因此确認其影響很重要。

以前,在ESD槍上施加脈沖的情況下(xià),即使以正極性施加,LSI針上出現的對電(diàn)源電(diàn)壓的噪聲也會産生(shēng)振動波形。

特别是在正方向和負方向的誤動作的斷點不同的情況下(xià),盡管是正極性施加,但也有可能發生(shēng)超過負方向的斷點而導緻的誤動作。在HIT-5000中(zhōng),通過加入矩形波,可以分(fēn)别對正方向和負方向進行評價。

靜電(diàn)可視化監視器

HSK-5008L靜電(diàn)可視化監視器

手持式靜電(diàn)可視化監視器。

配備8個線性傳感器,可輕松确認靜電(diàn)的帶電(diàn)狀态。

PC連接後,可使用軟件确認靜電(diàn)帶電(diàn)狀态,确認數值數據,保存測量數據。

HSK-5064靜電(diàn)可視化監視器

手持式靜電(diàn)可視化監視器。

64個傳感器可以同時和高速測量100mm×100mm的寬區域。

本産品不會錯過區域内的帶電(diàn)部分(fēn),還可以實時監控靜電(diàn)的帶電(diàn)形狀和經過時間的帶電(diàn)動作。

HSK-5008L相同,可使用軟件進行數據保管和再生(shēng)。

HSK-V5000B靜電(diàn)可視化監視器

安裝型酒吧類型的靜電(diàn)可視化監視器。

安裝在測量對象物(wù)的附近,可以以面爲單位監視時常帶電(diàn)量,并且可以瞬間捕捉到大(dà)範圍的帶電(diàn)量,是劃時代的裝置。(例)膠片、液晶面闆、紙(zhǐ)等

根據您的要求,可以靈活地定制測量範圍、傳感器的數量等。

 

 

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